Поверхностные модификации SiC для снижения воспаления вокруг импланта
Карбид кремния — один из тех материалов, который я знаю не понаслышке, а изнутри: более десяти лет работы с SiC-транзисторами и инверторами научили ценить его выносливость и стабильность. Но когда начинаешь смотреть на тот же самый материал как на платформу для имплантируемых устройств, привычные ориентиры смещаются. Тут уже не пробойное напряжение в 1,2 кВ важно, а […]